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iPhone6s最近在摄像头上面花了大力气，不仅摄像头升级为1200万与500万，同时又为了使得摄像头对焦也更加准确，CMOS 为了降噪也采用了成为“深槽隔离”技术，那么深槽隔离技术是什么鬼？

下面小编来安利一【yī】下：CMoS集成电路具有功耗【hào】低、噪声容限大、集【jí】成度高等突出优点【diǎn】,是Lsl和vLsl的【de】发【fā】展方向之一。但是,CMOs结构的致命弱点是易发生【shēng】门锁。随着集【jí】成技术的发展,器件的横向尺【chǐ】寸(如栅长等)及纵向尺寸(如阱深等【děng】)都必须缩小,因此,导致寄生双极晶体管的增益增大,使得常规的局部选择氧【yǎng】化隔离工艺 (LoCos)中的【de】门锁何题变得更加突出. LoCoS一直是Mos IC的标准隔离工艺,由于此工艺采用了简单的自对准注【zhù】入来控制场区闭值【zhí】电压,因而在制造高性能的NMoS IC中得到了广泛应用.但在CMos工艺中,为了在n一区和p一【yī】区进行自对准的场注入,必须增加一【yī】次光刻,因此【cǐ】,LOCOS工艺并不完【wán】美,而更严重的是由于LOCOS工艺的场氧化和场注入【rù】要产生【shēng】“鸟咀”效应和“窄沟道刀效应,限制了集成密度的提高〔”。 深槽【cáo】隔离工艺是利用反应离子刻蚀U型槽,然后在槽中填充介质为了使得摄像头对焦也更加【jiā】准确，CMOS 为了降噪也采【cǎi】用了成为“深槽隔离”技术。